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Two-dimensional Electron Transport in Gallium Nitride and Gallium Arsenide- based Heterostructures.
颁布单位:[University of Michigan] | 颁布时间:2011 | 实施时间:2011 | 学科分类:[Quantum Hall Effect, Semiconductor Physics, 2-dimensional Electron Gas, Single Electron Transistor, GaAs Heterostructures, GaN Heterostructures, Physics, Science, Physics]
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