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发布时间

2019(11)
发布机构

Department:Sch...(6)

University:Uni...(6)

University:Uni...(5)

Department:Sch...(2)

Department:Sch...(2)

Department:Sch...(1)
学科类别

Electrical(11)

Electronics(11)

Nuclear(11)

TK(11)

engineering(11)

engineering.(11)

Technology(5)
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TK

2019

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A novel “in-situ” processed gate region on GaN MOS capacitors

颁布单位：[University:University of Glasgow, ... | 颁布时间：2019 | 实施时间：2019 | 学科分类：[TK, Electrical, engineering., Electronics, Nuclear, engineering]

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