Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrensfür die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen

[摘要] Dieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung einesTeststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittelsDirect Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zurAnalyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Siebenötigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realenMessobjekt anliegenden Störspannungen frequenzabhängig bestimmtwerden können. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Siliziumgefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der auseiner Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verstärker mitnachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zunächstwerden die oben genannten verschiedenen Varianten derDPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand vonMessdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur bestehtaus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor-und Nachteile der Varianten einschließlich Modellierungsaufwand undSimulationsgeschwindigkeit.

[学科分类] 电子、光学、磁材料