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Simulation von CNFET basierten Digitalschaltungen
[摘要] Einwandige Kohlenstoff Nanoröhrchen können sowohl halbleitende alsauch metallische Eigenschaften aufweisen, je nachdem wie dieRöhrchenachse im Vergleich zur Anordnung der Kohlenstoffatomeverläuft. Dies wird durch den sogenannten Aufrollvektorbestimmt. Halbleitende Nanoröhrchen können für Transistoren (CNFETs)verwendet werden, deren Verhalten sich mit einer modifiziertenVersion von Berkeley Spice 3f5 simulieren läßt. Die aus diesenSimulationen gewonnenen Parameter werden zur Parametrisierung vonSystemC Modellen aus CNFETs bestehender Grundschaltungen verwendet,was zu einer um Größenordnungen höheren Simulationsgeschwindigkeitbei hoher Genauigkeit führt.

Single walled carbon nanotubes (CNT) can be either metallic orsemiconducting depending on the tube's orientation in relation tothe configuration of the carbon atoms. This is determined by theso-called chiral vector. Semiconducting CNT can be used intransistors (CNFET) which can be simulated by a modified version ofBerkeley Spice 3f5. The parameters determined by these simulationsare used to parameterise SystemC models of some basic buildingblocks yielding fast simulations with high accuracy.

[发布日期]  [发布机构] 
[效力级别]  [学科分类] 电子、光学、磁材料
[关键词]  [时效性] 
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